SiC-MOSFET 솔리드 스테이트 고주파 파이프 용접기

As the technology improved, recently for the solid state high frequency welder adopts third generation semiconductor material called SiC-MOSFET.

The Third Generation Semiconductor Materials SiC-MOSFET Performance Characteristics

1. 고온·고압 저항성: SiC는 Si에 비해 밴드갭이 약 3배 넓어 고온 조건에서도 안정적으로 동작할 수 있는 전력소자를 구현할 수 있다. SiC의 절연 파괴 전계 강도는 Si의 10배이므로 Si 소자에 비해 더 높은 도핑 농도와 더 얇은 막 두께의 드리프트층을 갖는 고전압 전력 소자를 제작할 수 있습니다.

2. 장치 소형화 및 경량화: 실리콘 카바이드 장치는 더 높은 열 전도성과 전력 밀도를 가지므로 방열 시스템을 단순화하여 장치 소형화 및 경량화를 달성할 수 있습니다.

3. 저손실 및 고주파수: 탄화 규소 장치의 작동 주파수는 실리콘 기반 장치의 10배에 도달할 수 있으며 작동 주파수가 증가해도 효율이 감소하지 않아 에너지 손실을 거의 50% 줄일 수 있습니다. 동시에 주파수 증가로 인해 인덕턴스, 트랜스포머 등 주변 부품의 부피가 줄어들고, 시스템 구성 후 부피 및 기타 부품 비용이 절감된다.

SiC-MOSFET 솔리드 스테이트 고주파 파이프 용접기의 장점

Si-MOSFET 소자보다 손실이 1.60% 낮고, 용접기 인버터 효율이 10% 이상 증가하며, 용접 효율이 5% 이상 증가합니다.

2. 단일 SiC-MOSFET 전력 밀도가 크고 그에 따라 조립 수량도 줄어들어 결함 지점과 외부 전자기 복사가 직접적으로 줄어들고 인버터 전원 장치의 신뢰성이 향상됩니다.

3.SiC-MOSFET는 원래의 Si-MOSFET보다 높은 내전압을 가지며, 용접기 DC 정격 전압은 안전 보장을 전제로 그에 따라 증가되었습니다(병렬 공진 용접기의 경우 280VDC, 직렬 공진 용접기의 경우 500VDC). 그리드 측 역률 ≥ 0.94 .

4. 새로운 SiC-MOSFET 장치 손실은 Si-MOSFET의 40%에 불과합니다. 특정 냉각 조건에서는 스위칭 주파수가 더 높아질 수 있으며, 직렬 공진형 Si-MOSFET 용접기는 주파수 배가 기술을 채택하고 SiC-MOSFET을 채택하여 최대 최대 설계 및 제조가 가능합니다. 600KHz 고주파 용접기.

5.New SiC-MOSFET welder DC voltage increases, grid side power factor high,AC current small,harmonic current small,customer’s cost of power supply and distribution is greatly reduced,and the power supply efficiency is effectively improved.